$1976
jogos de bebês para cuidar,Explore Novos Jogos com a Hostess Bonita em Transmissões ao Vivo em HD, Onde Cada Desafio É uma Oportunidade para Mostrar Suas Habilidades e Se Divertir..O transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (''MOSFET'') de porta flutuante (''FGMOS'') foi inventado por Dawon Kahng e Simon Sze nos laboratórios da ''Bell'' em 1967. Eles propuseram o conceito de células de memória de porta flutuante, usando transistores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (''MOSFET'') de porta flutuante (''FGMOS''), que poderiam ser usados para produzir memória somente leitura (''ROM'') reprogramável. Células de memória de porta flutuante mais tarde se tornaram a base para tecnologias de memória não volátil (''NVM''), incluindo a memória somente leitura programável apagável (''EPROM''), a memória somente leitura programável apagável eletricamente (''EEPROM'') e a memória ''flash''.,Em 1970 publicou no ''Physical Review'' trabalho sobre que fases devem ser atribuídas às funções de Bloch, de maneira a obter funções de Wannier com larguras mínimas..
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